Diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de Banda-X

  • CRISTHIAN CASTRO-PEÑAHERRERA Universidad Politécnica de Valencia
  • CARLOS ALBERTO SERRA JIMENEZ Universidad Técnica de Ambato
Palabras clave: Líneas de transmisión, ROE, coeficiente de reflexión, parámetros S.

Resumen

En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente se destacan los aportes realizados en las técnicas de implementación de circuitos amplificadores de alta frecuencia basados en transistores de tecnología HEMT de GaN; así como la elaboración de las líneas de polarización y puertos de adaptación, control de estabilidad y ganancias en el rango de frecuencias deseado. Se debe destacar la utilización de herramientas de software libre para la caracterización del transistor mediante sus parámetros S y la geometría de las líneas de transmisión del circuito.

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Biografía del autor

CRISTHIAN CASTRO-PEÑAHERRERA, Universidad Politécnica de Valencia

Ing en Electrónica y Comunicaciones

CARLOS ALBERTO SERRA JIMENEZ, Universidad Técnica de Ambato

Ing MSC, docente de la Facultad de Ingeniería en Sistemas, Electrónica e Industrial de la Universidad Técnica de Ambato

Citas

Cripps, S. C. (2006). RF power amplifiers for wireless communications (Segunda ed.). Norwood: Artech House microwave.
Froehner, W. H. (1967). Quick amplifier design with scattering parameters. S-Parameters, circuit analysis and design, 5,1-5,11.
Glover, I. A., Penoock, S. R., & Shepherd, P. R. (2005). Microwave Devices, Circuits and Subsistems for Comunications Engineering. West Sussex: John Wiley & Sons, Ltd.
Hu, L., Qian, K., & Wang, B. (2015). Research of High Efficiency X-Band Power Amplifier. (IEEE, Ed.) International Symposium on Computational Intelligence and Design, 129-132. doi:10.1109/ISCID.2015.214
Instituto Espacial Ecuatoriano. (12 de Noviembre de 2016). Instituto Espacial Ecuatoriano. Obtenido de http://www.institutoespacial.gob.ec/
Köprü, R., Kuntman , H., & Yarman, B. (2013). A Novel Method to Design Wideband Power. IEEE, 1942-1945.
Perez, J. C., & Jaramillo, I. J. (2012). Methodology of design and construction of microwave power amplifiers prototypes for uhf radio frequency band. Bogota D.C., Colombia: Universidad Nacional de Colombia.
Qucs. (12 de Mayo de 2017). Quite universal circuit simulator. Obtenido de http://qucs.sourceforge.net/docs.html
Resca, D., Raffo, A., Falco, S. D., Scappaviva, F., Vadalà, V., & Vannini, G. (Abril de 2014). X-Band GaN Power Amplifier for Future Generation SAR Systems. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 24(4), 266-268. doi:10.1109/LMWC.2014.2299552
Sayre, C. W. (2001). Complete Wireless Design (Segunda ed.). New York: McGraw-Hill.
Setiawan, E., Latin, M., & Alam, B. (2017). Design and Simulation of Front-End Broadband RF Power. International Symposium on Electronics and Smart Devices, 314-317.
Smith, R., & Cripps, S. (2016). Broadband Push-Pull Power Amplifier Design at. Proceedings of the 46th European Microwave Conference, 1353-1356.
Soler, J. J. (2015). Diseño de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnología GaN-HEMT. Ingeniería, negocios e innovación, 33-44.
Suarez, A., Wentzel, A., & Heinrich, W. (2017). Stability Analysis of Digital Microwave. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, 3056-3070.
Virdee, B. S., Virdee, A. S., & Banyamin, B. Y. (204). Broadband Microwave Amplifiers. London: Artech House.
Yarman, B. S., & Ejaz, M. (2015). Practical Consideration to Design Broadband. Microwave Symposium (MMS, IEEE 15th Mediterranean, 1-4.
Zozaya, A. J. (2013). Diseño de amplificadores lineales y de bajo ruido de RF (Tema 2). Carabobo: Universidad de Carabobo.
Publicado
2018-03-30
Cómo citar
CASTRO-PEÑAHERRERA, C., & SERRA JIMENEZ, C. (2018). Diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de Banda-X. Enfoque UTE, 9(1), pp. 12 - 24. https://doi.org/https://doi.org/10.29019/enfoqueute.v9n1.231
Sección
Automatización y Control, Telecomunicaciones, Mecatrónica, Electromecánica, Automotriz, ...