Diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de Banda-X

Autores/as

  • CRISTHIAN CASTRO-PEÑAHERRERA Universidad Politécnica de Valencia
  • CARLOS ALBERTO SERRA JIMENEZ Universidad Técnica de Ambato

DOI:

https://doi.org/10.29019/enfoqueute.v9n1.231

Palabras clave:

Líneas de transmisión, ROE, coeficiente de reflexión, parámetros S.

Resumen

En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente se destacan los aportes realizados en las técnicas de implementación de circuitos amplificadores de alta frecuencia basados en transistores de tecnología HEMT de GaN; así como la elaboración de las líneas de polarización y puertos de adaptación, control de estabilidad y ganancias en el rango de frecuencias deseado. Se debe destacar la utilización de herramientas de software libre para la caracterización del transistor mediante sus parámetros S y la geometría de las líneas de transmisión del circuito.

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Biografía del autor/a

  • CRISTHIAN CASTRO-PEÑAHERRERA, Universidad Politécnica de Valencia

    Ing en Electrónica y Comunicaciones

  • CARLOS ALBERTO SERRA JIMENEZ, Universidad Técnica de Ambato

    Ing MSC, docente de la Facultad de Ingeniería en Sistemas, Electrónica e Industrial de la Universidad Técnica de Ambato

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Publicado

2018-03-30

Número

Vol. 9 Núm. 1 (2018)

Sección

Automatización y Control, Mecatrónica, Electromecánica, Automotriz

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Cómo citar

Diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de Banda-X. (2018). Enfoque UTE, 9(1), pp. 12 - 24. https://doi.org/10.29019/enfoqueute.v9n1.231